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东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET

作者:博维科技 时间:2018-10-25 16:31

新器件进一步提高电源效率

 

电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

 

 

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持续漏极电流(ID)高达57A,脉冲电流(IDP)高达228A的650V器件该款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。.

 

关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的这一重要指标提升40%,这意味着电源效率显著提高,据测量,2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。  

 

该款新器件采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。

 

为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。  

 

该款新器件的批量生产和出货即日启动。

 

 

 

应用场合

 

 数据中心(服务器电源等)

 

光伏发电机功率调节器 

 

不间断电源系统

 

特点

 

 RDS(ON) × Qgd降低,支持开关电源提高效率  

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